重庆新陵微电子
未来已来,创新驱动
公司拥有国内一流、国际领先的IGBT,MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术,建有国内领先的的IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室,拥有一条测试和制造手段完备IGBT模块研发生产线,在建一条年产120万片的特色晶圆产线,具备从芯片,模块,测试,应用评估的完整IGBT产业链。
高功率转换,逆变,开关,保护。
低饱和压降,高输入阻抗,驱动功率小。
低功耗,高开关速度,集成驱动。
低导通电阻,高频开关,温度稳定。
高电压大电流控制,高可靠性。
集成功率开关,驱动,保护,高集成度。
快速恢复二极管,高效率整流,低损耗。
高效能整流,快速反向恢复。